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BD243C 参数 Datasheet PDF下载

BD243C图片预览
型号: BD243C
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内容描述: 功率晶体管互补硅 [POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 143 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BD243B BD243C BD244B BD244C
R(T )有效的瞬变
热电阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.05
0.02
t1
单脉冲
t2
单身
脉冲
P( PK)
R
θJC (最大值)
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )R
θJC (T )
D = 0.5
0.2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨,时间或脉冲宽度(毫秒)
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
10
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
3.0
2.0
TJ = 150℃
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制, @ TC = 25°C
曲线适用于低于额定VCEO
BD243B , BD244B
BD243C , BD244C
10
20
60
40
80
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
1.0
ms
5.0毫秒
0.5毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管,
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于TJ (峰) = 150
_
C:是TC
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10%的规定TJ ( PK)
150
_
C, TJ ( pk)的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T, TIME (
µ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
tf
0.1
0.07
0.05
0.06
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
电容(pF)
兴业银行
100
70
COB
50
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
IC ,集电极电流( AMP )
4.0 6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ,反向电压(伏)
30
50
图6.开启,关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
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