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BD437 参数 Datasheet PDF下载

BD437图片预览
型号: BD437
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内容描述: 塑料中功率型硅NPN晶体管 [Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 55 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
   
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
TO- 126塑料封装晶体管
BD433/435/437
特点
功耗
P
厘米:
1.25
W(环境温度Tamb = 25℃)
1.发射器
2.收集
晶体管( NPN )
TO-126
集电极电流
4
I
厘米:
集电极 - 基极电压
BD433
V
( BR ) CBO
:
BD435
BD437
A
3. BASE
123
22 V
32 V
45 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
除非另有规定编)
TEST
条件
BD433
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
IC 。
100
μA ,我
E
=0
BD435
BD437
BD433
22
32
45
22
32
45
5
V
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
IC 。
100
妈,我
B
=0
I
E
=
100
μA ,我
C
=0
V
CB
=
22
V,I
E
=0
BD435
BD437
V
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) EBO
V
BD433
BD435
BD437
BD433
BD435
BD437
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= 32V ,我
E
=0
V
CB
=
45
V,I
E
=0
V
CE
=
22
V,I
E
=0
1
µA
集电极截止电流
I
首席执行官
V
CE
= 32V ,我
E
=0
V
CE
=
45
V,I
E
=0
V
EB
=
5
V,I
E
=0
V
CE
=
1
V,I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
10
mA
V
CE
=
1
V,I
C
=
2
A
I
C
=
2
A,I
B
=0.2A
V
CE
=
1
V,I
C
=
2
A
10
1
85
40
30
50
40
0.5
0.6
1.1
1.2
3
µA
发射极截止电流
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
µA
BD433/BD435
BD437
BD433/BD435
BD437
BD433/BD435
BD437
BD433/BD435
BD437
直流电流增益
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
基射极电压
跃迁频率
V
BE
V
兆赫
f
T
V
CE
=
1
V,I
C
=
250
mA