BS170 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS170
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内容描述：	小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） [Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 58 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BS170

首选设备

小信号MOSFET

500毫安， 60伏

N沟道TO- 92 （ TO- 226 ）

特点

http://onsemi.com

•

无铅包装是可用*

最大额定值

等级

漏 - 源电压

栅源电压

- 连续

- 不重复（T

≤

女士）

漏电流（注）

器件总功耗@ T

= 25°C

工作和存储结

温度范围

符号

GSM

, T

英镑

价值

0.5

350

-55〜

+150

单位

VDC

VPK

ADC

°C

500毫安， 60伏

DS （ ON）

= 5.0

N沟道

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

注：包的功耗可能会导致较低的连续

漏极电流。

TO-92 （TO- 226）

CASE 29

样式30

标记图

＆放大器;引脚分配

BS170

AYWWG

漏

门

来源

BS170 =器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

2005年8月 - 修订版5

出版订单号：

BS170/D

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