BSS138LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 200毫安， 50 V [Power MOSFET 200 mA, 50 V]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 128 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS138LT1

首选设备

功率MOSFET

200毫安， 50 V

N沟道SOT- 23

典型的应用是DC-DC转换器，电源管理

便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，

PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。

特点

http://onsemi.com

•

低阈值电压（V

GS （ TH）

： 0.5 V - 1.5 V）使得它非常适合

低电压应用

•

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

•

无铅包可用

200毫安， 50 V

DS （ ON）

= 3.5

N沟道

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

−

连续

漏电流

−

连续@ T

= 25°C

−

漏电流脉冲（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度

范围

热阻，

结到环境

铅的最大温度

焊接目的，持续10秒

符号

DSS

价值

200

800

225

−

55〜 150

556

260

°C

° C / W

°C

单位

VDC

, T

英镑

qJA

记号

图

SOT−23

CASE 318

21风格

J1 M

=器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

订购信息

设备

BSS138LT1

BSS138LT1G

BSS138LT3

BSS138LT3G

包

SOT−23

（无铅）

SOT−23

（无铅）

航运

†

3000磁带&卷轴

万胶带和放大器;卷轴

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年2月

−

启5

出版订单号：

BSS138LT1/D

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