BSS84LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 130毫安， 50 V [Power MOSFET 130 mA, 50 V]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 71 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS84LT1

功率MOSFET

130毫安， 50 V

P沟道SOT- 23

这些微型表面贴装MOSFET的降低功耗

节约能源，使该器件非常适用于小功率应用

管理电路。典型的应用是DC-DC变换器，

负载开关，电源管理在便携式和电池供电

产品，如计算机，打印机，蜂窝电话和无绳电话。

特点

http://onsemi.com

130毫安， 50 V R

DS （ ON）

= 10

P- CHANNEL

•

高效节能

•

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

•

无铅包装是否可用

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 脉冲漏电流（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度

范围

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

的目的，对10秒

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

130

520

225

- 55

150

556

260

°C

° C / W

°C

单位

VDC

SOT−23

CASE 318

21风格

标记图&引脚分配

漏

=器件代码

=日期代码

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

PDM

门

来源

订购信息

设备

BSS84LT1

BSS84LT1G

包

SOT−23

（无铅）

航运

†

3000磁带&卷轴

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年6月 - 修订版5

出版订单号：

BSS84LT1/D

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