BU208A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU208A
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内容描述：	NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 205 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BU208A

的hFE ， DC电流增益

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

IC ，集电极电流（ A）

5.0

VCE = 5 V

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（V）的

0.5

0.4

0.3

IC / IB = 3

0.2

IC / IB = 2

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（ A）

5.0

图5.直流电流增益

图6.集电极 - 发射极饱和电压

VCE （SAT），集电极 - 发射极饱和

电压（V）的

1.6

VBE ，基极发射极电压（ V）

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

IC / IB = 2

2.8

2.4

2.0

1.6

IC = 4.5 A

1.2

0.8

0.4

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

IC = 2将

IC = 3] A

IC = 3.5 A

IC = 4的

IC ，集电极电流（ A）

IB ，基极电流连续（ A）

图7.基射极饱和电压

图8.集电极饱和区

IC ，集电极电流（ A）

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.002

0.001

集成电路（最大）

ICM （最大）

µs

100

200

300

1毫秒

2毫秒

≤

95°C

焊线LIMIT

热限制

第二击穿极限

占空比

≤

10 20

50 100 200

特区

BU208 ， A1

500 1000

2000

1脉冲宽度

≤

µs.

占空比

≤

0.25 。 RBE

≤

100欧姆。

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

图9.最大正向偏置安全

工作区

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

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