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BU406 参数 Datasheet PDF下载

BU406图片预览
型号: BU406
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内容描述: NPN功率晶体管 [NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 117 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BU406 , BU407
NPN功率晶体管
这些设备是高电压,高速晶体管,用于水平
电视和CRT的偏转输出级。
特点
高电压: V
CEV
= 330或400 V
开关速度快:吨
f
= 750毫微秒(最大值)
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1 V (最大值) @ 5 A
无铅包可用*
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
峰值重复
峰值( 10毫秒)
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
储存温度
BU406
BU407
BU406
BU407
BU406
BU407
符号
V
首席执行官
V
CEV
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
200
150
400
330
400
330
6
7
10
15
4
60
0.48
−65
150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
NPN硅
功率晶体管
7安培
60瓦
150和200伏
TO−220AB
CASE 221A -09
风格1
1
2
3
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
ADC
W
W / ℃,
_C
标记图
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大无铅焊接温度的
Purposes1 / 8“案件从5秒
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
2.08
70
260
单位
° C / W
° C / W
_C
BU40xG
AY WW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
BU40x =具体设备守则
X = 6或7的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
BU406
BU406G
BU407
BU407G
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
TO−220AB
TO−220AB
(无铅)
TO−220AB
TO−220AB
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
©
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年5月
启8
1
出版订单号:
BU406/D