LM285 ， LM385B
最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
等级
反向电流
正向电流
工作环境温度范围
LM285
LM385
工作结温
存储温度范围
静电放电敏感度（ ESD ）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
带电器件模型（ CDM）
T
J
T
英镑
ESD
4000
400
2000
符号
I
R
I
F
T
A
-40至+85
0至+70
+150
-65到+ 150
°C
°C
V
价值
30
10
单位
mA
mA
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
LM285−1.2
特征
反向击穿电压（I
RMIN
v
I
R
v
20毫安）
LM285−1.2/LM385B−1.2
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
LM385−1.2
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
最小工作电流
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
反向击穿电压随电流
I
RMIN
v
I
R
v
1.0毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
1.0毫安
v
I
R
v
20毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
反向动态阻抗
I
R
= 100
毫安，
T
A
= +25°C
平均温度系数
10
mA
v
I
R
v
20毫安，T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
宽带噪声（ RMS）
I
R
= 100
毫安，
10赫兹
v
f
v
10千赫
长期稳定性
I
R
= 100
毫安，
T
A
= +25°C
±
0.1°C
反向击穿电压（I
RMIN
v
I
R
v
20毫安）
LM285−2.5/LM385B−2.5
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
LM385−2.5
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
最小工作电流
T
A
= 25°C
T
A
= T
低
给T
高
（注1 ）
1. T
低
T
高
T
低
T
高
符号
V
（ BR ）R
1.223
1.200
−
−
I
RMIN
−
−
DV
（ BR ）R
−
−
−
−
Z
−
DV
（ BR ）
/ DT
−
n
−
S
−
V
（ BR ）R
2.462
2.415
−
−
I
RMIN
−
−
2.5
−
−
−
13
−
2.538
2.585
−
−
20
30
2.462
2.436
2.425
2.400
−
−
2.5
−
2.5
−
13
−
2.538
2.564
2.575
2.600
mA
20
30
20
−
−
20
−
V
60
−
−
60
−
PPM / KHR
80
−
−
80
−
mV
0.6
−
−
0.6
−
PPM /°C的
−
−
−
−
1.0
1.5
10
20
−
−
−
−
−
−
−
−
1.0
1.5
20
25
W
8.0
−
10
20
−
8.0
−
15
20
mV
1.235
−
−
−
1.247
1.270
−
−
1.223
1.210
1.205
1.192
1.235
−
1.235
−
1.247
1.260
1.260
1.273
mA
民
典型值
最大
LM385−1.2/LM385B−1.2
民
典型值
最大
单位
V
= -40 ℃， LM285-1.2 ， LM285-2.5
= + 85°C的LM285-1.2 ， LM285-2.5
= 0 ℃， LM385-1.2 ， LM385B -1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
= + 70 ℃， LM385-1.2 ， LM385B - 1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
