MC14001B系列
典型的B- GATE系列特征
N沟道漏电流（ SINK ）
5.0
− 10
− 9.0
ID ，漏极电流（毫安）
ID ，漏极电流（毫安）
4.0
3.0
T
A
= − 55°C
− 40°C
+ 85°C + 25°C
+ 125°C
− 8.0
− 7.0
− 6.0
− 5.0
− 4.0
− 3.0
− 2.0
− 1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
5.0
0
0
− 1.0
− 2.0
− 3.0
− 4.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
− 5.0
+ 85°C
− 40°C
+ 25°C
T
A
= − 55°C
P- Channel汲极电流（源极）
2.0
1.0
+ 125°C
图2. V
GS
= 5.0伏
20
18
ID ，漏极电流（毫安）
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
9.0
10
T
A
= − 55°C
− 40°C
+ 25°C
+ 85°C
+ 125°C
− 50
− 45
ID ，漏极电流（毫安）
− 40
− 35
− 30
− 25
− 20
− 15
− 10
− 5.0
0
0
图3. V
GS
= - 5.0伏
T
A
= − 55°C
+ 25°C
− 40°C
+ 85°C
+ 125°C
− 1.0 − 2.0 − 3.0 − 4.0 − 5.0 − 6.0 − 7.0 − 8.0 − 9.0 − 10
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
图4. V
GS
= 10 VDC
50
45
40
ID ，漏极电流（毫安）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
12
14
16
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
18
20
+ 125°C
ID ，漏极电流（毫安）
T
A
= − 55°C
− 40°C
+ 25°C
+ 85°C
− 100
− 90
− 80
− 70
− 60
− 50
− 40
− 30
− 20
− 10
0
0
图5. V
GS
= - 10 VDC
T
A
= − 55°C
− 40°C
+ 25°C
+ 85°C
+ 125°C
− 2.0 − 4.0 − 6.0 − 8.0 − 10 − 12 − 14 − 16
V
DS
，漏极至源极电压（VDC ）
− 18 − 20
图6. V
GS
± 15 VDC
图7. V
GS
= - 15 VDC
这些典型的曲线是不保证的，但设计的辅助工具。
注意：最大额定输出电流为每销10毫安。
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ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
