MC33201 ， MC33202 ， MC33204 ， NCV33202 ， NCV33204
PD （最大） ，最大功率耗散（ mW的
2500
8和14引脚DIP PKG
2000
1500
1000
500
SOIC−8
PKG
TSSOP -14 PKG
SO- 14 PKG
百分比放大器（ ％ ）
40
35
30
25
20
15
10
5.0
0
−10 − 8.0 − 6.0 − 4.0 − 2.0
0
2.0 4.0 6.0
V
IO
，输入失调电压（MV ）
8.0
10
360放大器的测试
3 （ MC33204 ）晶圆批次
V
CC
= + 5.0 V
V
EE
= GND
T
A
= 25°C
DIP封装
0
− 55 − 40 − 25
0
25
50
85
T
A
，环境温度（ ° C）
125
图2.最大功率耗散
与温度的关系
图3.输入失调电压分布
50
40
百分比放大器（ ％ ）
30
20
10
0
− 50 − 40 − 30 − 20
360放大器的测试
3 （ MC33204 ）晶圆批次
V
CC
= + 5.0 V
V
EE
= GND
T
A
= 25°C
DIP封装
200
我IB ，输入偏置电流（ NA）
V
CC
= + 5.0 V
V
EE
= GND
160
120
80
V
CM
> 1.0 V
40
0
− 55 − 40 − 25
V
CM
= 0 V至0.5 V
−10
0
10
20
30
40
50
0
25
70
85
125
TC
V
，输入失调电压温度系数（
m
V/
°
C)
IO
T
A
，环境温度（ ° C）
图4.输入失调电压
温度系数分布
图5.输入偏置电流
与温度的关系
一个VOL ，开环电压增益（千伏/ V）
150
我IB ，输入偏置电流（ NA）
100
50
0
− 50
−100
−150
− 200
− 250
0
V
CC
= 12 V
V
EE
= GND
T
A
= 25°C
2.0
4.0
6.0
8.0
10
V
CM
，输入共模电压（ V）
12
300
260
220
180
140
V
CC
= + 5.0 V
V
EE
= GND
R
L
= 600
W
DV
O
= 0.5 V至4.5 V
0
25
70
85
T
A
，环境温度（ ° C）
105
125
100
− 55 − 40 − 25
图6.输入偏置电流
对共模电压
图7.开环电压增益与
温度
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ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
