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MJ2955 参数 Datasheet PDF下载

MJ2955图片预览
型号: MJ2955
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内容描述: 互补硅功率晶体管 [Complementary Silicon Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 71 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N3055 ( NPN ) , MJ2955 ( PNP )
首选设备
其他芯片
功率晶体管
互补硅功率晶体管设计
通用的开关和放大器应用。
特点
http://onsemi.com
直流电流增益 - ^ h
FE
= 20−70 @ I
C
= 4个ADC
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.1伏(最大) @我
C
= 4个ADC
出色的安全工作区
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CER
V
CB
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
70
100
7
15
7
115
0.657
- 65 〜+ 200
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
15安培
功率晶体管
其他芯片
60伏, 115瓦
TO- 204AA (TO- 3)
案例1-07
风格1
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
160
PD ,功耗(瓦)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
2N3055
2N3055G
MJ2955
MJ2955G
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
xxxx55G
Ayyww
MEX
xxxx55
G
A
YY
WW
MEX
=器件代码
XXXX = 2N30或MJ20
= Pb-Free包装
=地点代码
=年
=工作周
=国家的由来
订购信息
设备
TO−204AA
TO−204AA
(无铅)
TO−204AA
TO−204AA
(无铅)
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
图1.功率降额
T
C
,外壳温度( ° C)
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 修订版6
出版订单号:
2N3055/D