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半导体技术资料
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MMBT3904WT1/D
通用晶体管
NPN和PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器应用。他们是
安置在SOT- 323 / SC- 70是专为低功耗表面贴装
应用程序。
NPN
MMBT3904WT1
PNP
MMBT3906WT1
通用
放大器晶体管
表面贴装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
40
–40
60
–40
6.0
–5.0
200
–200
单位
VDC
VDC
VDC
3
连续集电极电流 - MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗（ 1 ）
TA = 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
150
833
- 55 〜+ 150
单位
mW
° C / W
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT–323/SC–70
器件标识
MMBT3904WT1 = AM
MMBT3906WT1 = 2A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
基地截止电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
V（ BR ） CEO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） CBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） EBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
IBL
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
ICEX
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
—
—
50
–50
—
—
50
–50
NADC
6.0
–5.0
—
—
NADC
60
–40
—
—
VDC
40
–40
—
—
VDC
VDC
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S;占空比
2.0%.
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
