NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3906WT1
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
（ VCE = -5.0伏， TA = 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
4.0
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
IC = 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
IC = 0.5毫安
源电阻= 2.0 ķ
IC = 50
m
A
2.0
12
F = 1.0千赫
10
IC = 0.5毫安
8.0
6.0
4.0
2.0
MMBT3906WT1
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
IC = 50
m
A
IC = 100
m
A
MMBT3906WT1
1.0 2.0
4.0
10
20
RS ，源电阻值（kΩ ）
40
100
IC = 1.0毫安
3.0
1.0
源电阻= 2.0 ķ
IC = 100
m
A
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
0
0.1
图25 。
图26 。
h参数值
（ VCE = -10伏直流， F = 1.0千赫， TA = 25 ° C）
300
MMBT3906WT1
200
hFE参数，电流增益
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
MMBT3906WT1
100
70
50
10
7.0
5.0
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.3
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0
10
30
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.3
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图27.电流增益
20
ħ重，电压反馈比例（ X 10
–4
)
MMBT3906WT1
10
ħ即输入阻抗（K
Ω)
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图28.输出导纳
MMBT3906WT1
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0
10
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0
10
图29.输入阻抗
8
图30.电压反馈比例
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
