MMBT3904LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT3904LT1
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内容描述：	通用晶体管（ NPN硅） [General Purpose Transistor (NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 105 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT3904LT1

首选设备

通用晶体管

NPN硅

特点

•

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

符号

首席执行官

CBO

EBO

价值

6.0

200

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注2 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

qJA

556

300

2.4

qJA

, T

英镑

417

-55〜

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

1AM

=具体设备守则

1AM

记号

图

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

订购信息

设备

MMBT3904LT1

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT3

MMBT3904LT3G

包

SOT−23

航运

†

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年2月 - 修订版5

出版订单号：

MMBT3904LT1/D

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