MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT3906LT1G
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内容描述：	通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小：	7 页 / 97 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT3906LT1

首选设备

通用晶体管

PNP硅

特点

•

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极电流 - 峰值（注3 ）

符号

首席执行官

CBO

EBO

价值

-40

-5.0

-200

-800

单位

VDC

MADC

http://onsemi.com

集热器

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基底，（注2） @ T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

225

1.8

qJA

300

2.4

qJA

, T

英镑

417

-55到+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

556

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318

类型6

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR- 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3. SOA参考曲线。

2A M

2A =具体设备守则

M =日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

设备

MMBT3906LT1

MMBT3906LT1G

MMBT3906LT3

MMBT3906LT3G

包

SOT-23

（无铅）

SOT-23

航运

†

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年7月 - 修订版6

出版订单号：

MMBT3906LT1/D

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