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MMBT4403LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4403LT1G图片预览
型号: MMBT4403LT1G
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内容描述: 开关晶体管 [Switching Transistor]
分类和应用: 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 148 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT4403LT1G
静态特性
1.1
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
25°C
−55°C
V
BE(上)
,基极 - 发射开启
电压(V)的
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
150°C
25°C
V
CE
= 2.0 V
−55°C
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图16.基射极饱和电压与
集电极电流
40
C
敖包
,输出电容( pF)的
C
IBO
,输入电容( pF)的
35
30
25
20
15
10
15
13
11
9
7
5
3
图17.基射极导通电压与
集电极电流
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
eb
,发射极基极电压( V)
V
cb
,集电极基极电压( V)
图18.输入电容与发射基地
电压
1000
图19.输出电容与收藏家
基极电压
f
T
,电流增益带宽(MHz )
1
I
C
,集电极电流( A)
10毫秒
0.1
1秒
V
CE
= 1.0 V
T
A
= 25°C
100
0.01
0.001
1
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
100
10
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图20.安全工作区
图21.电流增益带宽积
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