MMBT5550LT1 MMBT5551LT1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
VCE ( SAT )
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
VBE ( SAT )
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
—
—
—
1.0
1.2
1.0
—
—
—
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
VDC
—
( IC = 10 MADC , VCE = 5.0 V直流)
( IC = 50 MADC , VCE = 5.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
基地 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据