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MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT5551LT1
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内容描述: 高压晶体管( NPN硅) [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管高压
文件页数/大小: 6 页 / 202 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT5550LT1 MMBT5551LT1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
VCE ( SAT )
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
VBE ( SAT )
这两种类型
MMBT5550
MMBT5551
1.0
1.2
1.0
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
( IC = 10 MADC , VCE = 5.0 V直流)
( IC = 50 MADC , VCE = 5.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
基地 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据