MMBTA42LT1,
MMBTA43LT1
MMBTA42LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
•
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
MMBTA42
300
300
6.0
500
MMBTA43
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55〜
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
1D X
M1E X
MMBTA42LT1
MMBTA43LT1
1D ， M1E =具体设备守则
X
=日期代码
订购信息
设备
MMBTA42LT1
MMBTA42LT1G
MMBTA43LT1
MMBTA43LT3
包
SOT−23
SOT−23
SOT−23
SOT−23
航运
†
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
† 。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版5
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
