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    MMBTA06LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA06LT1G图片预览
    型号： MMBTA06LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 驱动晶体管NPN硅 [Driver Transistors NPN Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管驱动
    文件页数/大小： 5 页 / 99 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第5页  
    MMBTA05LT1G ， MMBTA06LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注3 ）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    E
    = 100
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CE
    = 60 VDC ，我
    B
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    = 60 VDC ，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 80伏直流，我
    E
    = 0)
    基本特征
    直流电流增益
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 100 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 100 MADC ，我
    B
    = 10 MADC ）
    BASE
    ：辐射源
    ON电压
    (I
    C
    = 100 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    小信号特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积（注4 ）
    (I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 2.0 V，F = 100兆赫）
    3.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    4. f
    T
    被定义为频率在哪些| H
    fe
    |推断团结。
    f
    T
    100
    −
    兆赫
    h
    FE
    −
    100
    100
    −
    −
    −
    −
    0.25
    1.2
    VDC
    VDC
    MMBTA05
    MMBTA06
    MMBTA05
    MMBTA06
    V
    （ BR ） CEO
    VDC
    60
    80
    4.0
    −
    −
    −
    −
    0.1
    VDC
    MADC
    MADC
    符号
    民
    最大
    单位
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CES
    I
    CBO
    −
    −
    0.1
    0.1
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    开启时间
    -1.0 V
    V
    CC
    +40 V
    5.0
    ms
    +10 V
    V
    in
    0
    t
    r
    = 3.0纳秒
    5.0
    mF
    100
    5.0
    ms
    t
    r
    = 3.0纳秒
    测试夹具和连接器的*总并联电容
    对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
    R
    B
    * C
    S
    t
    6.0 pF的
    100
    R
    L
    产量
    V
    in
    5.0
    mF
    打开-O FF时间
    +V
    BB
    V
    CC
    +40 V
    100
    R
    B
    * C
    S
    t
    6.0 pF的
    100
    R
    L
    产量
    图1.开关时间测试电路
    http://onsemi.com
    2

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