NTD2955T4G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NTD2955T4G
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
文件页数/大小：	8 页 / 68 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

NTD2955

功率MOSFET

-60 V， -12 ， P沟道DPAK

这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。专为低电压，高

电源供应器，转换器和功率调速开关应用

电机控制，这些设备特别适合好桥梁

电路中的二极管速度和换向安全工作区域

关键的，并提供对意外的附加安全余量

电压瞬变。

特点

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

−60 V

DS （ ON）

典型值

155毫瓦@ -10 V ， 6的

最大

−12 A

•

较高的雪崩能量

•

DSS

和V

DS （ ON）

指定高温

•

专为低电压，高速开关应用程序和

承受高能量的雪崩和减刑模式

•

无铅包可用

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

≤

10毫秒）

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

≤

10毫秒）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度

范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

= 25°C

= 25伏，V

= 10伏，峰值

= 12 APK ， L = 3.0 mH的，R

= 25

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的，在1/8 。从案例

10秒

符号

DSS

GSM

, T

英镑

价值

−60

−12

−36

-55〜

175

216

单位

VDC

VPK

ADC

APK

°C

1 2

P- CHANNEL

记号

图表

漏

DPAK

CASE 369C

方式2

AYW

NT2955

漏

门

来源

漏

AYW

NT2955

1 2 3

门漏源

NT2955

器件代码

=大会地点

=年

=工作周

QJC

qJA

2.73

71.4

100

260

° C / W

DPAK−3

CASE 369D

方式2

°C

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.当表面安装用1片大小的FR4板

（铜面积= 1.127的

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜面积= 0.412的

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

NTD2955/D

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