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    NTR4101PT1G 参数 Datasheet PDF下载

    NTR4101PT1G图片预览
    型号： NTR4101PT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 [Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 116 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第5页  
    NTR4101P
    沟槽功率MOSFET
    −20
    V，单P沟道， SOT -23
    特点
    •
    •
    •
    •
    领导
    −20
    V沟的低R
    DS （ ON）
    −1.8
    V额定的低电压栅极驱动器
    SOT- 23表面贴装的小型封装
    无铅包装是否可用
    http://onsemi.com
    V
    （ BR ） DSS
    −20
    V
    R
    DS （ ON）
    典型值
    70毫瓦@
    −4.5
    V
    90毫瓦@
    −2.5
    V
    112毫瓦@
    −1.8
    V
    −3.2
    A
    I
    D
    最大
    应用
    •
    用于便携式设备的负载/电源管理
    •
    用于计算负载/电源管理
    •
    充电电路和电池保护
    最大额定值
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    漏极至源极电压
    栅极 - 源极电压
    连续漏极
    电流（注1 ）
    稳定
    状态
    t
    ≤
    10 s
    功耗
    （注1 ）
    连续漏极
    电流（注2 ）
    功耗
    （注2 ）
    漏电流脉冲
    静电放电能力（注3）
    稳定
    状态
    t
    ≤
    10 s
    稳定
    状态
    T
    A
    = 25°C
    T
    A
    = 85°C
    T
    A
    = 25°C
    TP = 10
    ms
    C = 100 pF的，
    RS = 1500
    W
    P
    D
    I
    DM
    ESD
    T
    J
    ,
    T
    英镑
    I
    S
    T
    L
    I
    D
    T
    A
    = 25°C
    T
    A
    = 85°C
    T
    A
    = 25°C
    T
    A
    = 25°C
    P
    D
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    I
    D
    价值
    −20
    ±8.0
    −2.4
    −1.7
    −3.2
    0.73
    1.25
    −1.8
    −1.3
    0.42
    −18
    225
    −55
    to
    150
    −2.4
    260
    W
    A
    V
    °C
    A
    °C
    1
    P沟道MOSFET
    S
    单位
    V
    V
    A
    G
    W
    D
    A
    3
    标记图&
    引脚分配
    3
    漏
    TR4 MG
    G
    1
    门
    2
    来源
    2
    工作结温和存储温度
    源电流（体二极管）
    无铅焊接温度的
    目的（ 1/8“从案例10秒）
    SOT−23
    CASE 318
    21风格
    TR4
    =器件代码
    M
    =日期代码
    G
    = Pb-Free包装
    （注：微球可在任一位置）
    强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
    额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
    工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
    推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
    订购信息
    设备
    包
    SOT−23
    SOT−23
    无铅
    航运
    †
    3000 /磁带&卷轴
    3000 /磁带&卷轴
    热电阻额定值
    参数
    结到环境
    −
    稳态（注1 ）
    结到环境
    −
    吨< 10秒（注1 ）
    结到环境
    −
    稳态（注2 ）
    符号
    R
    qJA
    R
    qJA
    R
    qJA
    最大
    170
    100
    300
    单位
    ° C / W
    NTR4101PT1
    NTR4101PT1G
    1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
    （铜面积=在平1.127 [ 1盎司]包括痕迹）
    2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
    3. ESD额定值信息： HBM等级0
    † 。有关磁带和卷轴规格，
    包括部分方向和磁带大小，请
    请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
    宣传册， BRD8011 / D 。
    ©
    半导体元件工业有限责任公司， 2010
    2010年6月，
    −
    启5
    1
    出版订单号：
    NTR4101P/D

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