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SA571N 参数 Datasheet PDF下载

SA571N图片预览
型号: SA571N
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内容描述: 扩 [Compandor]
分类和应用: 模拟计算功能信号电路电信集成电路光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 105 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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SA571
可变增益单元
图12是可变增益单元的示意图。这是一个
线性化的二象限的跨导乘法器。 Q
1
,
Q
2
和运算放大器提供了一个预失真驱动信号
增益控制对, Q
3
和Q
4
。增益由我控制
G
电流镜提供的输出电流。
V+
I
1
140mA
+
R
2
20k
V
IN
I
IN
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
I
2
(= 2I
1
)
280mA
V−
注:我
OUT
I
I V
+
G
I
IN
+
G IN
I
1
I
2
R
2
I
G
该方程是线性的,对温度不敏感,但它
假定理想的晶体管。
如果晶体管不完全匹配,一个抛物面,
非线性产生,这导致在第二
谐波失真。图13给出了一个指示
引起的一个给定的输入电平的失真的大小和
偏移电压。该失真是线性地正比于
的偏移量值和输入电平。饱和
增益单元发生在8 dBm的水平。在一个标称工作
0 dBm的水平, 1.0 mV的偏移会产生第二次的0.34 %
谐波失真。大部分电路都有点优于
这一点,这意味着我们的整体偏移量通常约为毫伏。
失真不受增益的量值
控制电流,而且它不会增加,因为增益是
改变了。这种二次谐波失真可能是
通过完美的晶体管消除,但自认为
恐怕很难,我们不得不求助于其他方法。
一个微调引脚已经提供了允许的微调
内部偏移到零,从而有效地消除了第二
谐波失真。图14示出了简单的修整
网络所需。
4
3
% THD
2
1
.34
−6
0
+6
输入电平(dBm )
4mV
3mV
2mV
1mV
图12.简化
DG
细胞示意图
运算放大器保持Q的基极和集电极
1
at
接地电位(V
REF
)通过控制Q的基极
2
。该
输入电流I
IN
(= V
IN
/R
2
因此)被强制流过
Q
1
随着电流I
1
,所以我
C1
= I
1
+ I
IN
。由于我
2
被定为I的值的两倍
1
时,电流通过Q
2
是:
I
2
− (I
1
+ I
IN
) = I
1
− I
IN
= I
C2
.
图13 。
DG
细胞畸变与失调电压
运算放大器也因此被迫之间的线性电流摆动
Q
1
和Q
2
通过提供适当的驱动,以Q的基极
2
.
该驱动信号将是线性的小信号,但很
非线性对大的信号,因为它补偿了
非线性差分对中,Q的
1
和Q
2
,在大
信号条件。
的关键电路是这同一预失真驱动器
信号被施加到增益控制对中,Q
3
和Q
4
。当
两个差分对晶体管具有相同的信号
应用,它们的集电极电流比率将是相同的
不管电流的大小的。这给我们:
I
C1
I
I
)
I
IN
+
C4
+
1
I
C2
I
C3
I
1
*
I
IN
V
CC
R
3.6V
6.2kW
要THD修剪
≈200pF
20kW
图14. THD修剪网络
再加上我的关系
G
= I
C3
+ I
C4
OUT
= I
C4
− I
C3
收率乘法器传递函数
I
OUT
+
I
G
V I
I
IN
+
以g
I
1
R
2
I
1
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