TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117
NPN
TIP110 ， 111 ， 112
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
VCE = 3.0 V
的hFE ， DC电流增益
6.0 k
4.0 k
3.0 k
25°C
2.0 k
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
VCE = 3.0 V
PNP
TIP115 ， 116 ， 117
0.1
0.2
1.0
0.4 0.6
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
TJ = 25°C
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
50
100
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
50
100
图9.集电极饱和区
2.2
TJ = 25°C
1.8
V，电压（V ）
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
2.2
TJ = 25°C
1.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
