UC3842B ， UC3843B ， UC2842B ， UC2843B ， NCV3843BV
欠压锁定
设计注意事项
两个欠压锁定比较已
掺入保证该集成电路是全功能
前的输出级被使能。正电源
电源端子（V
CC
）和参考输出（Ⅴ
REF
）是
由独立的比较器每个监控。每个人都有内置的
滞后防止不稳定的输出行为的
相应的阈值交叉。在V
CC
比较
上和下阈值是16伏/ 10伏的UCX842B ，
和8.4 V / 7.6 V的UCX843B 。在V
REF
比较
上限和下限是3.6 V / 3.4 V的大
在UCX842B的滞后和低启动电流，使
它非常适合于脱机转换器的应用中
有效的引导启动技术要求
（图34） 。该UCX843B是用于低电压
直流 - 直流转换器的应用程序。 A 36 V稳压是
连接为从V分路调节器
CC
到地面。其
目的是为了保护IC免受过电压，可以
出现在系统启动过程中。的最小工作
电压（V
CC
）为UCX842B为11 V和8.2 V的
UCX843B.
这些设备包含一个单一的图腾柱输出级，
是专为电力直接驱动设计
的MOSFET。它是能够达到的
±1.0
峰值驱动电流
并具有50 ns的有1.0 nF的负载一个典型的上升和下降时间。
附加的内部电路已被添加到保持
输出一个下沉模式时欠压锁定
是活动的。这个特性消除了对一个
外部下拉电阻。
该SOIC- 14表面贴装封装提供了独立的
引脚V
C
（输出电源）和电源地。正确
实施将显著降低的水平
切换强加给控制电路瞬态噪声。
这时候减少了我就变得特别有用
峰（最大值）
钳位电平。单独的V
C
电源输入允许
设计者更大的灵活性剪裁的驱动电压
独立的V
CC
。齐纳二极管钳位通常连接
该输入在系统驱动功率MOSFET时，
其中，V
CC
大于20V。图26示出了适当的
电源和控制接地连接的电流检测
功率MOSFET的应用。
参考
5.0 V带隙基准修剪成
±1.0%
宽容在T
J
= 25℃的UC284XB ，并
±2.0%
对
UC384XB 。其主要目的是为了提供充电电流
振荡器定时电容器。参考了短期
电路保护，并能提供在过量的
20毫安的供电额外的控制系统电路。
不要试图构建器上
钢丝缠绕或插件原型板。
高频
电路布局技术是当务之急，以防止
脉宽抖动。这通常是由过量噪音造成的
接机施加于电流检测和电压反馈
输入。抗噪声能力可以通过降低电路的改进
阻抗在这些点。印刷电路应该布局
包含一个接地平面与低电流信号和
高电流开关和输出地返回上
独立的路径返回到输入滤波电容。陶瓷的
旁路电容（ 0.1
MF）
直接连接到V
CC
, V
C
,
和V
REF
这取决于电路的布局可能是需要的。
这提供了一个低阻抗路径，用于过滤的高
频噪声。所有大电流回路应尽可能
使用重型铜运行，尽量减少短越好
辐射EMI 。误差放大器的补偿电路和
该转换器的输出电压分压器应靠近
给IC和尽可能从电源开关和
产生噪声的元件。
电流模式转换器可表现为谐
当在占空比大于50 ％的振荡运行
连续电感电流。这种不稳定性是
独立的监管机构的闭环特性
并且是引起的同步操作条件
固定频率和峰值电流检测。图20A
显示图形化的现象。在t
0
，开关
开始导通，使电感电流上升在
m的斜率
1
。该斜率是输入电压的函数
由电感划分。在t
1
，该电流检测输入
达到由控制电压确定的阈值。
这将导致开关关闭，电流衰减时
m的斜率
2
，直到下一个振荡周期。不稳定
条件可以，如果扰动被添加到显示
控制电压，从而产生一个小
DI
（虚线） 。同
一个固定频率振荡器周期，电流衰减时间减少，
并且在开关的最小电流导通（叔
2
）增大
by
DI
+
DI
m
2
/m
1
。在下一循环中的最小电流
(t
3
）下降到（ DI +
DI
m
2
/m
1
) (m
2
/m
1
） 。这种扰动
乘以米
2
/m
1
每个成功的周期，交替
增加和减小的电感线圈电流开关
开启。几个振荡周期后，可能需要之前
电感器电流达到零导致进程
再次开始。如果m
2
/m
1
大于1时，转换器
将不稳定。图20B显示，通过添加
与该PWM时钟来同步，人工斜坡
控制电压，该
DI
扰动将减少到零
在随后的周期。该补偿斜坡（M
3
）必须
有坡度等于或小于m稍大
2
/ 2为
稳定。与米
2
/ 2斜率补偿，平均
电感电流随控制电压，产生真
电流模式操作。该补偿斜坡可
来自于所述振荡器和加入任一电压
反馈和电流检测输入端（图33） 。
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ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
