欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HE8404SG_06 参数 Datasheet PDF下载

HE8404SG_06图片预览
型号: HE8404SG_06
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: GaAlAs的红外发光二极管 [GaAlAs Infrared Emitting Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 4 页 / 89 K
品牌: OPNEXT [ OPNEXT. INC. ]
 浏览型号HE8404SG_06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HE8404SG_06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HE8404SG_06的Datasheet PDF文件第4页  
HE8404SG
GaAlAs的红外发光二极管
描述
该HE8404SG是一个砷化镓铝双异质结结构820毫微米波段的发光二极管。它适合于用作
该光源在很宽的范围内的光控制和传感设备。
ODE - 208-049 ( Z)
Rev.0
二〇〇六年十月三十〇日
特点
高效率和高输出功率
套餐类型
HE8404SG : SG1
内部电路
1
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
I
F
V
R
TOPR
TSTG
符号
评级
250
3
-20至+60
-40到+90
单位
mA
V
°C
°C
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
光输出功率
峰值波长
光谱宽度
正向电压
反向电流
电容
上升时间
下降时间
符号
P
O
λp
∆λ
V
F
I
R
Ct
t
r
t
f
40
790
典型值
820
50
30
10
10
最大
850
60
2.5
100
单位
mW
nm
nm
V
µA
pF
ns
ns
测试条件
I
F
= 200毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
Rev.0二零零六年十月三十○日页4 1