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型号: HE8807SG
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内容描述: GaAlAs的红外发光二极管 [GaAlAs Infrared Emitting Diodes]
分类和应用: 半导体二极管
文件页数/大小: 5 页 / 102 K
品牌: OPNEXT [ OPNEXT. INC. ]
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HE8807SG/FL
GaAlAs的红外发光二极管
描述
该HE8807SG / FL是单异质结构的GaAlAs发光二极管的880纳米的波长。
ODE - 208-050 ( Z)
Rev.0
二〇〇六年十月三十〇日
特点
高输出,高效率
窄谱宽
夏普辐射方向性( HE8807FL )
宽辐射方向性( HE8807SG )
高可靠性
套餐类型
HE8807SG : SG1
套餐类型
HE8807FL : FL
内部电路
1
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
I
F
V
R
TOPR
TSTG
符号
评级
200
3
-20至+85
-40至+100
单位
mA
V
°C
°C
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
光输出功率
峰值波长
光谱宽度
正向电压
反向电流
电容
上升时间
下降时间
HE8807SG
HE8807FL
符号
P
O
Pf
*
λp
∆λ
V
F
I
R
Ct
t
r
t
f
10
0.5
800
典型值
20
1.0
880
30
1.7
10
20
20
最大
900
60
2.3
100
单位
mW
nm
nm
V
µA
pF
ns
ns
测试条件
I
F
= 150毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 150毫安
I
F
= 150毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
注意: Pf的规范​​:在9度接受角的光输出。
Rev.0二零零六年十月三十○日页5 1