HL6340MG/41MG
圆形光束低工作电流
描述
该HL6340MG / 41毫克为0.63
µm
带的AlGaInP半导体激光器可以以低的工作电流下操作。这些
产物通过自对准的折光指数（ SRI）的活性层结构设计的。这些都适合用作光源
激光整平机，激光扫描仪和光学测量仪器。
ODE - 208-035 （ Z）
Rev.0
2005年7月1日
特点
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•
光输出功率： 5毫瓦CW
单纵模
可见光功率
： 635 nm的典型值
低工作电流： 25毫安典型值
小展弦比
1.2典型值
工作温度： + 50°C
TM模式振荡
套餐类型
•
HL6340MG / 41毫克： MG
内部电路
•
HL6340MG
1
3
内部电路
•
HL6341MG
1
3
PD
LD
PD
LD
2
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
项
符号
光输出功率
P
O
脉冲光输出功率
P
O（脉冲）
LD反向电压
V
R（ LD ）
PD反向电压
V
R（ PD）的
工作温度
TOPR
储存温度
TSTG
注：脉冲条件：脉冲宽度
≤
1
µs
，职务
≤
50%
评级
5
6*
2
30
-10至+50
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
项
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
阈值电流
第i个
—
20
30
mA
—
坡英法fi效率
ηs
0.5
0.8
1.1
毫瓦/毫安3（毫瓦）/（我
(4mW)
– I
(1mW)
)
工作电流
I
OP
—
25
40
mA
P
O
= 5毫瓦
工作电压
V
OP
—
2.4
2.7
V
P
O
= 5毫瓦
激光波长
λp
630
635
640
nm
P
O
= 5毫瓦
光束发散角
θ//
13
17
25
°
P
O
= 5毫瓦
平行于结
光束发散角
θ⊥
16
20
25
°
P
O
= 5毫瓦
垂直于该结
长宽比
θ⊥/θ//
—
1.2
1.5
—
P
O
= 5毫瓦
电流监视器
I
S
0.01
0.03
0.06
mA
P
O
= 5毫瓦，V
R（ PD）的
= 5 V
注意：1 ，必须注意在激光二极管的处理，以防止由正向光骤增损坏以及
通过ESD 。
2.梁具有12度对包的参考平面偏移。请把它装在一个账户
板。
Rev.0 2005年7月1日第1页5
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