HL7851G
GaAlAs的激光二极管
描述
该HL7851G是一个高功率0.78
µm
带的GaAlAs激光二极管具有多量子阱（MQW ）结构。这是
适合作为光源，用于光盘存储器，矫直机和各种其它类型的光学设备。密闭
包装的密封保证了高可靠性。
ODE - 208-062A （ Z）
Rev.1
2006年12月4日
特点
•
•
•
•
可见光输出：
λp
= 785 nm的典型
小束椭圆： 9.5 ： 23
高输出功率： 50毫瓦（ CW）
内置监控光电二极管
套餐类型
•
HL7851G ： G2
内部电路
1
3
PD
LD
2
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
项
光输出功率
脉冲光输出功率
LD反向电压
PD反向电压
工作温度
符号
P
O
P
O（脉冲）
V
R（ LD ）
V
R（ PD）的
TOPR
评级
50
60 *
2
30
-10至+60
-40至+85
单位
mW
mW
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
注：最大占空比为50％ ，最大1
µs
脉冲宽度。
光学和电学特性
(T
C
= 25°C)
项
阈值电流
坡英法fi效率
LD的工作电流
LD的工作电压
激光波长
光束发散角（平行）
光束发散角
（垂直）
电流监视器
散光
符号
第i个
ηs
I
OP
V
OP
λp
θ//
θ⊥
I
S
A
S
民
—
0.35
—
—
775
8
18
30
—
典型值
45
0.55
135
2.3
785
9.5
23
45
5
最大
70
0.7
165
2.7
795
12
28
150
—
单位
mA
毫瓦/ MA
mA
V
nm
°
°
µA
µm
测试条件
40（毫瓦）/（我
(45mW)
– I
(5mW)
)
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦
P
O
= 50毫瓦， FWHM
P
O
= 50毫瓦， FWHM
P
O
= 5毫瓦，V
R（ PD）的
= 5 V
P
O
= 5毫瓦， NA = 0.4
Rev.1号2006年12月4日第1页4
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