高温GaAlAs的IR发射器
特点
OD-110LISOLHT
•宽温度等级
• 2引脚TO -39封装
•发射窄角
•孤立的事件
•符合RoHS和REACH标准
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
反向击穿电压，V
R
电容C
测试条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 500毫安
I
R
= 10μA
V
R
= 0V
民
50
典型值
100
850
40
7
1.7
最大
单位
mW
nm
nm
度
2
伏
伏
pF
纳秒
纳秒
5
30
20
20
上升时间
下降时间
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
峰值正向电流（为10μs ， 200Hz时）
2
反向电压
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
1
减额
2
减额
1000mW
500mA
1.5A
5V
260°C
每个热降额曲线在25℃以上
线性25℃以上
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
热电阻R
thJC
-65 ℃〜150 ℃的
150°C
150 ° C / W典型
60 ° C / W典型
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订2013年7月1日
OPTODIODE [ OPTODIODE CORP ]
