超高功率GaAlAs的红外线发射器
特点
•超高光输出
•在芯片四角四引线键合
•非常均匀的光束
•标准3引脚TO -39密封封装
•芯片尺寸： 0.026 X 0.026
OD-250
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值，除非另有说明。两个阳极
引脚
必须是
外部连接在一起。
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率，P
o
峰值发射波长，
λ
P
光谱带宽在50％以上，
Δλ
半强度的光束角，
θ
正向电压，V
F
上升时间
下降时间
反向击穿电压，V
R
测试条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
R
= 10μA
民
160
典型值
250
850
40
110
1.7
5
30
20
20
2
最大
单位
mW
nm
nm
度
伏
伏
纳秒
纳秒
I
F
= 500毫安
I
FP
= 50毫安
I
FP
= 50毫安
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
反向电压
1
1000mW
500mA
1.5A
5V
峰值正向电流（为10μs ， 200Hz时）
2
引线焊接温度（ 16"分之1从案例10秒）
每个热降额曲线减免上述25℃
线性25℃以上
2
减额
260°C
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
1
热电阻R
thJA
2
-40 ℃至100 ℃的
145 ° C / W典型
75 ° C / W典型
100°C
1
2
通过测量最小传热静止空气通过导线最小的热传导
空气循环以极快的速度，以保持壳体温度在25℃下
750米切尔路，纽伯里公园，加州91320
电话： （ 805 ） 499-0335 ，传真： （ 805 ） 499-8108
电子邮件： sales@optodiode.com ，网址： www.optodiode.com
修订版2013年6月23日
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