高温GaAlAs的IR发射器
特点
•扩展工作温度范围
•无内部涂层
OD-850WHT
•需要到80℃不降额或散热器
•标准2引脚TO -46密封封装
所有表面都是镀金的。尺寸为名义
以英寸为单位的值,除非另有说明。
RoHS指令
光电特性在25℃
参数
总输出功率,P
o
峰值发射波长,
λ
P
光谱带宽在50%以上,
Δλ
半强度的光束角,
θ
正向电压,V
F
反向击穿电压,V
R
上升时间
下降时间
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
I
R
= 10μA
I
FP
= 20mA下
I
FP
= 20mA下
5
民
19
典型值
26
850
40
80
1.6
30
20
20
2
最大
单位
mW
nm
nm
度
伏
伏
纳秒
纳秒
绝对最大额定值在25 °C外壳
功耗
1
连续正向电流
峰值正向电流(为10μs , 200Hz时)
反向电压
引线焊接温度( 16"分之1从案例10秒)
1
2
200mW
100mA
300mA
5V
260°C
每个热降额曲线减免上述25℃
线性25℃以上
2
减额
热学参数
存储和工作温度范围
最高结温
热电阻R
thJA
热电阻R
thJA
1
热
2
空气
1
2
-65 ℃〜150 ℃的
150°C
400 ° C / W典型
135 ° C / W典型
通过传输静止空气中测量通过导线最小的热传导最小化
循环以极快的速度,以保持壳体温度在25℃下
750米切尔路,纽伯里公园,加州91320
电话: ( 805 ) 499-0335 ,传真: ( 805 ) 499-8108
电子邮件: sales@optodiode.com ,网址: www.optodiode.com
修订版2013年2月26日