欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RS7206-33NEG 参数 Datasheet PDF下载

RS7206-33NEG图片预览
型号: RS7206-33NEG
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 300毫安CMOS LDO线性稳压器与启用 [300mA CMOS LDO Linear Regulator with Enable]
分类和应用: 稳压器
文件页数/大小: 16 页 / 1151 K
品牌: ORISTER [ ORISTER CORPORATION ]
 浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RS7206-33NEG的Datasheet PDF文件第9页  
Page No. : 4/16
Detail Description 
The RS7206 is a low‐dropout linear regulator. The device provides preset 2.5V, 2.85V and 3.3V output voltages for output 
current  up  to  150mA.  Other  mask  options  for  special  output  voltages  from  1.2V  to  5.0V  with  100mV  increment  are  also 
available. As illustrated in function block diagram, it consists of a 1.0V reference, error amplifier, a P‐channel pass transistor, 
an ON/OFF control logic and an internal feedback voltage divider. 
 
The 1.0V band gap reference is connected to the error amplifier, which compares this reference with the feedback voltage 
and amplifies the voltage difference. If the feedback voltage is lower than the reference voltage, the pass‐transistor gate is 
pulled lower, which allows more current to pass to the output pin and increases the output voltage. If the feedback voltage is 
too high, the pass transistor gate is pulled up to decrease the output voltage. 
 
The  output  voltage  is  feed  back  through  an  internal  resistive  divider  connected  to  V
OUT
 
pin.  Additional  blocks  include  an 
output current limiter, thermal sensor, and shutdown logic. 
 
Internal P‐channel Pass Transistor 
The  RS7206  features  a  P‐channel  MOSFET  pass  transistor.  Unlike  similar  designs  using  PNP  pass  transistors,  P‐channel 
MOSFETs require no base drive, which reduces quiescent current. PNP based regulators also waste considerable current in 
dropout when the pass transistor saturates, and use high base‐drive currents under large loads. The RS7206 does not suffer 
from  these  problems  and  consumes  only  15μA  (Typ.)  of  current  consumption  under  heavy  loads  as  well  as  in  dropout 
conditions. 
 
Enable Function 
EN pin starts and stops the regulator. When the EN pin is switched to the power off level, the operation of all internal circuit 
stops,  the  build‐in  P‐channel  MOSFET  output  transistor  between  pins  V
IN
 
and  V
OUT
 
is  switched  off,  allowing  current 
consumption to be drastically reduced. The V
OUT
 pin enters the GND level through the internal discharge path between V
OUT
 
and GND pins. 
 
Output Voltage Selection 
The  RS7206  output  voltage  is  preset  at an internally  trimmed  voltage 2.5V,  2.85V  or 3.3V.  The output  voltage  also  can  be 
mask‐optioned from 1.2V to 5.0V with 100mV increment by special order. The first two digits of part number suffix identify 
the output voltage (see Ordering Information). For example, the RS7206‐33 has a preset 3.3V output voltage. 
 
Current Limit 
The RS7206 also includes a fold back current limiter. It monitors and controls the pass transistor’s gate voltage, estimates the 
output current, and limits the output current within 0.5A. 
 
Thermal Overload Protection 
Thermal overload protection limits total power dissipation in the RS7206. When the junction temperature exceeds T
J
=+150°C, 
a thermal sensor turns off the pass transistor, allowing the IC to cool down. The thermal sensor turns the pass transistor on 
again after the junction temperature cools down by 20°C, resulting in a pulsed output during continuous thermal overload 
conditions. 
 
Thermal overload protection is designed to protect the RS7206 in the event of fault conditions. For continuous operation, the 
absolute maximum operating junction temperature rating of T
J
=+125°C should not be exceeded. 
 
Operating Region and Power Dissipation 
Maximum power dissipation of the RS7206 depends on the thermal resistance of the case and circuit board, the temperature 
difference between the die junction and ambient air, and the rate of airflow. The power dissipation across the devices is P = 
I
OUT
 x (V
IN
‐V
OUT
). The resulting maximum power dissipation is: 
 
DS‐RS7206‐15 
   
October, 2009 
www.Orister.com