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RS7213-33DLNSCG 参数 Datasheet PDF下载

RS7213-33DLNSCG图片预览
型号: RS7213-33DLNSCG
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内容描述: 300毫安高速,低噪声LDO具有快速启动和快速放电功能 [300mA High Speed, Low Noise LDO with Fast Enable and Fast Discharge Function]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 544 K
品牌: ORISTER [ ORISTER CORPORATION ]
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详细说明
该RS7213是一个低压差线性稳压器。该器件可提供预设的1.8V,2.5V和3.3V输出电压的输出
电流高达300mA 。特殊的输出电压等面膜的选择也可以。如所示的功能块
diagram, it consists of a 0.87V bandgap reference, an error amplifier, a P‐channel pass transistor and an internal feedback 
分压器。
 
对于被连接到误差放大器,其比较该基准和反馈电压与带隙基准
放大的电压差。如果反馈电压低于基准电压时,导通晶体管的栅极是
拉到低,这允许更多的电流传递到输出引脚,并增加输出电压。如果反馈电压
过高时,导通晶体管的栅极被向上拉,以减少输出电压。
 
输出电压反馈通过内部电阻分压器连接到V
OUT
 
引脚。其他模块包括一个
输出限流器,热传感器,并关断逻辑。
 
内部P沟道MOSFET
该RS7213拥有一个P沟道MOSFET晶体管。不像使用PNP调整晶体管类似的设计时,P沟道
MOSFET的不需要基极驱动,从而降低了静态电流。 PNP型监管机构也浪费了相当大的电流
dropout when the pass transistor saturates, and use high base‐drive currents under large loads. The RS7213 does not suffer 
这些问题,仅消耗30μA (典型值)电流消耗在重负载下,以及在降
条件。
 
使能功能
EN引脚启动以及停止稳压器。当EN引脚被切换到关闭电源电平,所有内部电路的动作
停止时,引脚V的积聚在P沟道MOSFET输出晶体管
IN
 
和V
OUT
 
关闭时,允许电流
消耗大幅度减少。在V
OUT
销进入到V之间的内部放电路径的GND电平
OUT
 
和GND引脚。
 
工作区和功耗
Maximum power dissipation of the RS7213 depends on the thermal resistance of the case and circuit board, the temperature 
管芯结和环境空气,以及气流的速度之间的差异。在器件的功耗为P =
I
OUT
X (V
IN
‐V
OUT
) 。由此产生的最大功耗为:
P
最大
=
 
( T
J
T
A
) ( T
J
T
A
)
=
 
θ
JC
+ θ
CA
θ
JA
在哪里(T
J
‐T
A
)是RS7213芯结和周围空气之间的温度差,
θ
JC
 
是热
封装的电阻选择,而
θ
CA
 
是通过在印刷电路板的耐热性,铜迹线和
其他材料到周围空气中。为了更好的热沉,铜面积应得到同等的V之间共享
IN
V
OUT
和GND管脚。
 
热阻θ
JA
 of SOT‐25 package of RS7213 is 250°C/W. Based on a maximum operating junction temperature 
125°C与25° C的环境中,最大功耗将是:
P
最大
=
 
( T
J
T
A
) (125
25)
=
=
0.40W
 
θ
JC
+ θ
CA
250
Thermal characteristics were measured using a double sided board with 1”x2” square inches of copper area connected to the 
GND引脚“热扩散” 。
 
输入输出电压差
监管机构的最小输入输出电压差,或压差电压,确定最低可用电源电压。在
电池供电的系统,这将决定报废的有用电池电压。该RS7213采用P沟道MOSFET
导通晶体管,其电压差是漏极 - 源极导通电阻R的函数
DS ( ON)
乘以负载电流。
 
V
=
V
IN
V
OUT
=
R
DS ( ON)
×
I
OUT
 
DS‐RS7213‐02 
   
September, 2009 
www.Orister.com