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SFH7221-Z 参数 Datasheet PDF下载

SFH7221-Z图片预览
型号: SFH7221-Z
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内容描述: 砷化镓铝-IR- Lumineszenzdiode ( 880纳米) UND思Fototransistor的GaAlAs红外发射极( 880纳米)和硅光电晶体管 [GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 85 K
品牌: OSA [ OSA OPTO LIGHT GMBH ]
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SFH 7221
Kennwerte IRED
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics IRED
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of radiation
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
880
Wert
Value
Einheit
Unit
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
,
I
F
= 100 mA
∆λ
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
,
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Viewing angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10% Switching times,
I
e
from 10% to 90 % and from
90% to 10%
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
bzw.
Φ
e
I
F
= 100 mA,
I
F
= 100 mA
ϕ
80
±
60
0.16
0.4
×
0.4
0.5
nm
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.5 (≤ 1.8)
3.0 (≤ 3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
23
mW
TC
I
– 0.5
%/K
2001-02-22
3