NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPY 62
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschluss, geeignet bis 125
°C
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPY 62
BPY 62-3
BPY 62-3/4
BPY 62-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215Y0062
Q60215Y1112
Q60215Y5198
Q60215Y1113
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
• High linearity
• Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
°C
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Fotostrom
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
, V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
(mA)
> 0.5
0.8…1.6
0.8…2.5
1.25…2.5
2007-04-03
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
