GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LD 242
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Großer Öffnungskegel
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type
LD 242-2/3
LD 242 E7800
1)
Features
•
•
•
•
•
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Wide beam
Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• DIN humidity caregory in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
• Photointerrupters
• Sensor technology
• Light curtains
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703Q4749
Q62703Q3509
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
> 4.0
1 - 3.2
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2007-12-07
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
