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LD269 参数 Datasheet PDF下载

LD269图片预览
型号: LD269
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内容描述: 砷化镓红外发射器阵列 [GaAs Infrared Emitter Arrays]
分类和应用: 光电
文件页数/大小: 7 页 / 267 K
品牌: OSRAM [ OSRAM GMBH ]
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LD 260, LD 262
LD 269
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
μs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
+ 80
80
5
50
1.6
70
750
650
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJL
Δλ
55
nm
ϕ
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3
1.9
Grad
deg.
mm
2
mm²
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
2007-04-03
3