GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4860
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type
SFH 4860
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P5053
Features
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Fabricated in a liquid phase epitaxy process
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Matches all Si-Photodetectors
Hermetically sealed package
Applications
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Photointerrupters
IR remote control
Sensor technology
Light curtains
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 (TO-18), flat glass cap, lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
’’)
anode making: projection at package bottom
2007-12-07
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
