NPN-Si-Fototransistor mit V
λ
Charakteristik
Silicon NPN Phototransistor with V
λ
Characteristics
SFH 3410
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 350 nm bis 970 nm
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (
V
λ
)
• SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
(JEDEC level 4)
• Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
•
•
•
•
Umgebungslicht-Detektor
Beleuchtungsmesser
Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung
„Messen/Steuern/Regeln“
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5160
Q65110A0049
Q65110A0050
Q65110A0051
Features
• Especially suitable for applications from
350 nm to 970 nm
• Adapted to human eye sensitivity (
V
λ
)
• SMT package without base connection,
suitable for vapor phase and IR reflow soldering
(JEDEC level 4)
• Only available on tape and reel
Applications
•
•
•
•
Ambient light detector
Exposure meter for daylight and artificial light
Sensor for Backlight-Dimming
For control and drive circuits
tSilicon NPN Phototransistor with V
λ
Characteristics
Typ
Type
SFH 3410
SFH 3410 -1/2
SFH 3410 -2/3
SFH 3410 -3/4
Fotostrom
E
v
= 20 lx, Standard light A,
V
CE
= 5 V
Photocurrent
Ipce (
µ
A)
>3.2
3.2…10
5…16
8…25
2002-12-18
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
