GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
SFH 420
SFH 425
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325
• SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 420 same package as SFH 320
SFH 425 same package as SFH 325
• SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering.
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
®
SIDELED
SFH 420
SFH 425
Q62702-P1690
Q62702-P0330
2001-02-22
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
