SFH 4730, SFH 4740
Kennwerte
(
T
B
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Abmessungen der aktiven Chipfläche
1)
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
SFH 4730
SFH 4740
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
λ
Temperature coefficient of
λ
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
1)
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
845
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
60
2.1
×
5.4
10
Grad
deg.
mm²
ns
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
18 (≤ 24)
V
Φ
e
Φ
e
TC
I
3
3.6
– 0.5
W
W
%/K
TC
V
–2
mV/K
TC
λ,centroid
+ 0.2
nm/K
Die aktive Chipfläche besteht aus 10 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm².
The active chip area consists of 10 single chips with 1 x 1 mm² each.
2007-08-13
3
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
