GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480, SFH 481, SFH 482
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43
• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Features
• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• SFH 480: Same package as SFH 216
• SFH 481: Same package as BPX 43
• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
IR remote control of various equipmet
Sensor technology
Light-grille barrier
2001-10-01
1
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
