LD 242
Gruppierung德Strahlstärke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角测量
Ω
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
Strahlstärke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
符号
LD 242-2
Werte
值
LD 242-3
LD 242 7800
1)
统一性
单位
I
e
I
Ë典型。
4
…
8
50
> 6.3
75
1
…
3.2
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
死Messung德Strahlstärke UND宫Halbwinkels erfolgt MIT einer Lochblende VOR DEM Bauteil （ Durchmesser DER
Lochblende ： 1,1毫米; Abstand Lochblende祖Gehäuserückseite ： 4,0毫米） 。 Dadurch wird sichergestellt ， DASS北德
Strahlstärkemessung淖尔diejenige Strahlung在Achsrichtung bewertet wird ，死的DirEKt冯明镜Chipoberfläche
austritt 。冯·德尔· Bodenplatte reflektierte Strahlung （ vagabundierende Strahlung ） wird dagegen - 编者bewertet 。 Diese
Reflexionen信德besonders北Abbildungen德Chipoberfläche尤伯杯Zusatzoptiken störend （ZB Lichtschranken
groβer Reichweite ） 。在德Anwendung werden IM allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls第三人以Blenden
unterdrückt 。第三人以dieses德Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt自在献给模具Anwender EINE贝瑟
verwertbare Gröβe 。 Diese Lochblendenmessung北京时间gekennzeichnet第三人以登Eintrag “E 7800 ” ，明镜的模
Typenbezeichnung angehängt IST 。
一个孔用来在构件的前部的辐射强度的测量和半角（直径
的孔径：1.0毫米;距离光圈来区分背面4.0毫米）。这确保了仅在辐射中
轴线方向直接从芯片表面发射将所述辐射强度的测量过程中进行评价。
辐射由底板（杂散辐射）反射将不会被评估。这些反射损害的投影
通过附加的光学元件（例如，长距离光反射开关）在芯片表面。有关的申请
组件，这些反射一般打压孔为好。这种测量方法
相应的应用程序提供了更有用的数值。该孔的测量表示为“E 7800 ”
加入该类型名称。
1)
2007-12-07
4
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
