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    SFH4600 参数 Datasheet PDF下载

    SFH4600图片预览
    型号： SFH4600
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： Engwinklige LED IM MIDLED - Gehause窄光束在MIDLED封装LED的铅（以Pb计）免费产品 - 符合RoHS [Engwinklige LED im MIDLED-Gehause Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 243 K
    品牌： OSRAM [ OSRAM GMBH ]
     浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SFH4600的Datasheet PDF文件第8页  
    SFH 4600 ， SFH 4605
    Kennwerte
    (
    T
    A
    = 25
    °C)
    特征
    （续）
    bezeichnung
    参数
    Abstrahlwinkel
    半角
    Aktive Chipfläche
    有源芯片面积
    Abmessungen德aktiven Chipfläche
    有源芯片面积的尺寸
    Schaltzeiten ，
    I
    e
    冯10 ％奥夫90 ％ UND冯90 ％
    奥夫10 ％ ，贝
    I
    F
    = 100毫安，
    R
    L
    = 50
    Ω
    开关时间，
    Ι
    e
    从10％到90％，从
    90 ％至10％ ，
    I
    F
    = 100毫安，
    R
    L
    = 50
    Ω
    Durchlaßspannung
    正向电压
    I
    F
    = 100毫安，
    t
    p
    = 20毫秒
    I
    F
    = 1 A,
    t
    p
    = 100 µs
    Sperrstrom
    反向电流
    V
    R
    = 5 V
    Gesamtstrahlungsfluss
    总辐射通量
    I
    F
    = 100毫安，
    t
    p
    = 20毫秒
    符号
    符号
    ϕ
    邂逅相遇，
    价值
    ±
    20
    0.09
    0.3
    ×
    0.3
    10
    统一性
    单位
    毕业生
    度。
    mm
    2
    mm²
    ns
    A
    L
    ×
    B
    L
    ×
    W
    t
    r
    ,
    t
    f
    V
    F
    V
    F
    I
    R
    1.5 （ < 1.8 ）
    3.2 （ < 4.3 ）
    V
    V
    不是设计用于
    µA
    反向
    手术
    35
    mW
    Φ
    ê TYP
    Temperaturkoeffizient冯
    I
    e
    bzw.
    Φ
    e
    ,
    TC
    I
    I
    F
    = 100毫安
    温度COEF网络cient
    I
    e
    or
    Φ
    e
    ,
    I
    F
    = 100毫安
    Temperaturkoeffizient冯
    V
    F
    ,
    I
    F
    = 100毫安
    温度COEF网络cient
    V
    F
    ,
    I
    F
    = 100毫安
    Temperaturkoeffizient冯
    λ,
    I
    F
    = 100毫安
    温度COEF网络cient
    λ,
    I
    F
    = 100毫安
    – 0.44
    %/K
    TC
    V
    TC
    λ
    – 1.5
    + 0.2
    毫伏/ K
    纳米/ K
    2008-01-14
    3

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