SFH 480 ， SFH 481 ， SFH 482
Gruppierung德Strahlstärke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
Ω
= 0.01 SR
bezeichnung
参数
符号
符号
SFH
480-2
Strahlstärke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstärke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
bezeichnung
参数
SFH
480-3
邂逅相遇，
价值
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
统一性
单位
> 40
–
> 63
–
≥
10
–
10
20
16
–
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
ê TYP
.
符号
符号
540
630
220
邂逅相遇，
价值
130
220
毫瓦/ SR
统一性
单位
SFH
482
Strahlstärke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
ê MIN
I
ê MAX
Strahlstärke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
≥
3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2毫瓦/ SR
–
毫瓦/ SR
I
ê TYP
.
–
40
65
80
–
毫瓦/ SR
死Messung德Strahlstärke UND宫Halbwinkels erfolgt MIT einer Lochblende VOR DEM Bauteil （ Durchmesser DER
Lochblende ：2.0毫米; Abstand Lochblende祖Gehäuserückseite 5.4毫米）。 Dadurch wird sichergestellt ， daβ北德
Strahlstärkemessung淖尔diejenige Strahlung在Achsrichtung bewertet wird ，死的DirEKt冯明镜Chipoberfläche
austritt 。冯·德尔· Bodenplatte reflektierte Strahlung （ vagabundierende Strahlung ） wird dagegen - 编者bewertet 。 Diese
Reflexionen信德besonders北Abbildungen德Chipoberfläche尤伯杯Zusatzoptiken störend （ZB Lichtschranken
groβer Reichweite ） 。在德Anwendung werden IM allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls第三人以Blenden
unterdrückt 。第三人以dieses ，德Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt自在献给书房Anwender EINE贝瑟
verwertbare Gröβe 。 Diese Lochblendenmessung北京时间gekennzeichnet第三人以登Eintrag “E 7800 ” ，明镜的模
Typenbezeichnung angehängt IST 。
一个孔用来在构件的前部的辐射强度的测量和半角（直径
的孔径：1.0毫米;距离光圈来区分背面：4毫米）。这确保了仅在轴向的辐射
方向直接从芯片表面发射将所述辐射强度的测量过程中进行评价。
辐射由底板（杂散辐射）反射将不会被评估。这些反射损害的投影
通过附加的光学元件（例如，长距离光反射开关）在芯片表面。有关的申请
组件，这些反射一般打压孔为好。这种测量方法
相应的应用程序提供了更有用的数值。该孔的测量表示为“E 7800 ”
加入该类型名称。
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1)
2001-10-01
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
