GaAlAs的- Lumineszenzdiode ( 660纳米)
的GaAlAs发光二极管( 660 nm)的
铅(Pb )免费产品 - 符合RoHS
SFH 4860
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt IM Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch MIT数字高程模型Gehäuseboden
verbunden
•霍厄Zuverlässigkeit
•固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
Anwendungen
• Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
• IR- Gerätefernsteuerungen
• SENSORIK
• Lichtgitter
典型值
TYPE
SFH 4860
Bestellnummer
订购代码
Q62702P5053
特点
•
•
•
•
•
制造的液相外延工艺
阴极被电连接到所述壳体
高可靠性
匹配所有的硅光电探测器
密封包装
应用
•
•
•
•
光中断
红外遥控器
传感器技术
光幕
Gehäuse
包
18 A3 DIN 41876 ( TO- 18 ) , Bodenplatte , Plankappe ,
Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅(
1
/
10
’’)
Anodenkennzeichnung :核苷酸酶时Gehäuseboden
18 A3 DIN 870 ( TO- 18 ) ,平板玻璃帽,引线间距
2.54 mm (
1
/
10
’’)
阳极制作:投影在封装底部
2007-12-07
1