牛津半导体， INC 。
OXCF950 REV B数据表
28 (E5)
I
DSR ＃
发射器将完成当前字符并进入
在空闲模式下，直到CTS ＃引脚重新生效。注：流
状态的控制字符传输无关
在CTS ＃引脚。
低电平有效的调制解调器的数据设置就绪输入。如果自动DSR ＃
流量控制使能时，在去断言的DSR ＃引脚，
发射器将完成当前字符并进入
在空闲模式下，直到DSR ＃引脚重新生效。注：流
状态的控制字符传输无关
在DSR ＃引脚
外部接收器时钟同步的应用程序。该
Rx_Clk_In时选择寄存器中正[1：0 ] =' 01 '
低电平有效的调制解调器环指示器输入
外部发射机时钟。该时钟可用于由
发射机（与间接地受该接收器）时，寄存器
中正[6] ='1' 。
晶体振荡器的输出
晶体振荡器输入或外部时钟引脚。频率
为1.8MHz ->为60MHz 。
为1.8至20兆赫，可以使用一个晶体。高于该范围，
外部时钟源是必需的。
本地总线模式
：低电平有效的本地总线芯片选择
C950方式：
低电平有效OUT1
普通模式
：地址位5
本地总线模式
：低电平有效的本地总线读使能
C950模式：主动
低RXRDY
普通模式
：地址位6
本地总线模式
：低电平有效的本地总线写使能
C950模式：主动
低TXRDY
普通模式
：地址位7
本地总线模式
：高有效局部总线复位
C950模式：主动
低OUT2
普通模式：
地址位4
EEPROM时钟。在正常操作中的这个频率是
XTLI输入时钟/ 64时钟期间才有效
配置如下复位。
EEPROM高电平有效的片选。
英寸，该引脚的EEPROM的数据应采用1-10k被向上拉
电阻器如果一个EEPROM的情况下，或上拉/下拉取决于
所要求单机模式..
EEPROM的数据出来。
用户自定义IO引脚。
注意：如果已启用， MIO [1：0 ]可以被用作一个中断
输入。
本地总线模式中进行选择。注意局部总线模式要求
间接寻址，其仅支持由PCMCIA
规范
0 =正常模式（ CF / PCMCIA兼容）
' 1 ' =本地总线方式（ PCMCIA兼容）
地（ 0伏） 。在GND引脚应与接地
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Rx_Clk_In
30 (D5)
I
RI ＃
Tx_Clk_In
21 (F4)
20 (H4)
O
I
XTLO
XTLI
34 (C6)
35 (C4)
36 (B6)
33 (E4)
EEPROM
13 (H1)
14 (G2)
16 (G3)
15 (H2)
其他销
18, 31
（ G4 ， D6 ）
17 (H3)
O
O
I
O
O
I
O
O
I
O
O
I
O
O
I
O
I / O
I
LBCS ＃
OUT1#
A[5]
LBRD ＃
2
RXRDY ＃
A[6]
LBWR ＃
TXRDY ＃
A[7]
LBRST
2
OUT2#
A[4]
EE_CK
EE_CS
EE_DI
EE_DO
MIO [1：0 ]
模式
电源和接地
2
39, 19, 8
（A5 ，E3 D3）的
DS -0027 2月06日
G
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