PAM8003
2.5W无滤波D类立体声音频放大器
应用信息
电源去耦
该PAM8003是一种高性能的CMOS
音频放大器，需要足够的功率
提供的去耦，以确保输出的THD和
PSRR尽可能低。电源
去耦影响低频响应。
最佳的去耦，通过使用两个实现
不同类型的定位到不同的电容器
类型上的电源引线噪声。为
更高频率瞬变，尖峰或数字
哈希就行了，一个良好的低等效串联
电阻（ESR）的陶瓷电容，典型地
1.0μF ，效果最好，将其放置在尽可能靠近
到装置V
DD
终奌站。对于过滤低级
频率的噪音信号，一个大电容器的
20μF （陶瓷）或更大，建议
把它放在靠近音频功率放大器。
输入电容（C
i
)
大的输入电容既昂贵又
空间饿了便携式设计。显然，一个
一定大小的电容需要夫妇在低
频率无严重attenu通报BULLETIN 。但在
许多情况下，用于便携式扬声器
系统中，无论是内部还是外部的，具有小
再现100Hz以下的信号的能力
150Hz的。因此，使用一个大的输入电容可能
不增加系统perfor曼斯。在这
情况下，输入电容（C
i
）和输入电阻
(R
i
）放大器形成一个高通滤波器
由方程所确定的角频率
下文。
除了系统成本和尺寸，并点击弹出
perfor曼斯是受输入的大小
耦合电容C
i
。较大的输入耦合
电容器需要更多的电荷，以达到其
静态直流电压（通常为1/2 V
DD
） 。这
电荷来自经由所述内部电路
反馈和容易产生对持久性有机污染物的设备
启用。因而，通过最小化电容的大小
根据所需的低频响应。
启动噼噗声可以被最小化。
f
C
=
1
2πR
i
C
i
在关断模式下，C
BYP
确定的速率
该放大器启动。第二个
功能是减少所造成的功率噪声
供耦合到输出驱动信号。这
噪声是从内部模拟参考
放大器，该放大器出现退化的PSRR和
THD + N 。
陶瓷旁路电容（C
BYP
）同值
0.1μF至1.0μF推荐最好的THD
和噪声性能。增加了旁路
电容减少点击和弹出噪音
从电源开/关和进入和离开
关机。
欠压锁定（ UVLO ）
该PAM8003具有的电路设计
检测到低电源电压。当供给
电压下降到2.0V以下时， PAM8003
输出被禁止，以及设备出来
这种状态，并开始正常的功能时
V
DD
≥2.2V.
短路保护（ SCP ）
吨他PA米8 0 0 3 hasshortcircuitprotec化
电路的输出，以防止损坏
设备时，输出到输出或输出到GND
发生短路。当发生短路时，检测上
的输出，该输出被禁止
马上。如果除去短，则
装置再次启动。
过温保护
在PAM8003热保护防止
设备不受损坏内部芯片时
温度超过140℃。有一个15
从设备此行点宽容度
装置。一旦模头的温度超过
热设定点时，该装置输出
禁用。这不是一个锁定的故障。热
故障被清除一次模的温度是
降低30 ℃。这个大滞后的意志
防止电机划船的声音以及与设备
开始正常操作，在这一点上不
外部系统的干预。
模拟基准旁路电容（C
BYP
)
模拟参考旁路电容（C
BYP
）是
最关键的电容，并提供几个
重要的功能。 DuAring启动或恢复
联系电话：13826557935
9
联系人：熊伟
07/2010 Rev1.0
PAM [ POWER ANALOG MICOELECTRONICS ]
