PAM8303D
超低EMI ， 3W无滤波器
单声道D类音频功率放大器
应用信息
输入电阻（RI ）
输入电阻（ RI）设定的增益
按照方程1的放大器。
2
´
150k
W æ
V
ö
收益
=
ç ÷
Ri
è
V
ø
电阻匹配是完全很重要
差分放大器。输出的平衡
上的参考电压取决于匹配
电阻的比率。 CMRR ， PSRR和
抵消二次谐波失真的
如果电阻不匹配出现减少。因此，
推荐使用1 ％精度的电阻
或更好地保持最佳的性能。
匹配比整体更重要
耐受性。电阻阵列与1％的匹配可以
可使用的公差大于1％ 。
将输入电阻非常接近
PAM8303D限制噪声注入的高
阻抗节点。
为了获得最佳性能的增益应设置
为2X （RI = 150K ）或更低。较低的增益使
PAM8303D以最佳状态工作，并保持一个
在输入的高电压使较少的投入
容易受噪声影响。除了这些
特点，日高价值减少杂音。
输入电容（CI ）
在典型应用中，输入电容，CI，
是必需的，以允许该放大器的偏置输入
信号来进行最佳的适当的DC电平
操作。在此情况下， Ci和最小输入
阻抗日形式是一个高通滤波器，其
在后续的角频率确定
公式：
1
f
C
=
(
2
p
罗杰斯国际商品指数
)
考虑词，因为它的价值是非常重要的
直接影响的低频性能
的电路。例如，当R是150k的Ω和
规范要求一个平坦的低音响应
下降至150Hz 。公式被重新配置为
其次：
1
Ci
=
(
2
p
R
i
f
c
)
当输入电阻的变化被认为是，
词是7NF ，所以人们可能会选择一个值
的10nF的。进一步考虑这个电容
是从输入源通过泄漏路径
输入网络（次中，R +射频）连接到负载。这
漏电流产生的DC偏移电压，在
输入到放大器，降低有用
头部空间，尤其是在高增益应用。
出于这个原因，低泄漏钽或
陶瓷电容器是最好的选择。当
极化电容器使用的，正侧
电容器应面对放大器输入的
大多数应用中作为DC电平被保持在V
DD
/2,
这很可能比源DC电平更高。
请注意，以确认是非常重要的
电容的极性中的应用。
去耦电容（C
S
)
该PAM8303D是一个高性能的CMOS
音频放大器，需要足够的功率
提供的去耦，以确保输出总
谐波失真（THD）尽可能地低。
电源去耦还可以防止
振荡所造成的长引线长度
放大器和扬声器。
最佳的去耦是通过实现
两种不同类型的电容器针对上
不同类型的噪声对电源
导致。对于较高频率的瞬变，尖峰或
哈希数字就行了，一个良好的低equivalent-
串联电阻（ESR）的陶瓷电容，
通常为1 μ女，放置在尽可能靠近，以
该设备的每个VDD和PVDD引脚为最佳
操作。为了滤除低频噪声
信号， 10 μ F A大的陶瓷电容或
更多的放在靠近音频功率放大器
推荐使用。
如何降低EMI
大多数应用程序都需要一个铁氧体磁珠过滤器
示出在图1的铁氧体电磁干扰消除
过滤器可降低EMI 1MHz左右或更高。
当选择一个铁氧体磁珠，选择一个与
高阻抗在高频率，但低
阻抗在低频时。
铁氧体磁珠
OUT +
200pF
铁氧体磁珠
OUT-
200pF
图1 ：铁氧体磁珠滤波器来降低EMI
关机操作
为了减少功率消耗，同时不
在使用中， PAM8303D包含关闭
电路，该电路用于关闭放大器的
偏置电路。此关机功能开启的
龙鼎微电子
,
INC。
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2008年9月修订版1.4
12
PAM [ POWER ANALOG MICOELECTRONICS ]
