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DMG963H10R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DMG963H10R
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内容描述: NPN硅外延平面型( Tr1的) PNP硅外延平面型( TR2) [Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 402 K
品牌: PANASONICBATTERY [ Panasonic Battery Group ]
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DMG963H1
NPN硅外延平面型( Tr1的)
PNP硅外延平面型( TR2)
对于数字电路
DMG563H1在SSMini5型封装
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
无卤/符合RoHS标准
(欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL : Level 1标准)
单位:mm
标识标志: T1
基本型号
DRC2144E + DRA2143X (集电极基连接)
1 :发射器( Tr1的)
2 :基地( Tr1的)
3 :发射器( TR2)
松下
JEITA
CODE
( B2,C1 )
5
Tr1
R
2
R
1
R
2
包装
DMG963H10R浮雕式(热压密封) : 8000个/卷(标准)
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
Tr1
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
集电极 - 基极电压(发射极开路)
Tr2
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
–50
–50
–100
125
150
-55到+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
4 :捕集器( TR2)
5 :基地( TR2)
捕集器( Tr1的)
SSMini5-F4-B
SC-107BB
SOT-665
(C2)
4
Tr2
R
1
1
(E1)
2
(B1)
3
(E2)
阻力
价值
Tr1
Tr2
R
1
R
2
R
1
R
2
47
47
4.7
10
出版日期: 2013年2月
版本。 DED
1